光磊-齐纳管SD-00866G、发射管、1214晶元绿光芯 光磊光敏二极管、光敏IC、发射管、接受管 一手货源 联胜正规品芯片，价格有优势 10mil红光 010MR-U-FC1 亮度300-350-400，波长620-625 9mil黄光 009MY-U-SB0 亮度200-250-300，波长590-592 12mil黄光 012MY-U-FC0 亮度300-350-400，波长590-592 12mil红光 012MR-U-FC0 亮度350-400，波长620-622-625 30mil红光 030MR-U-FA0 亮度10000-11000，波长620-622-625 30的红色 10的 光磊850的12 ED-010IRA ED-012IRA ED-014IRA-T 电阻芯片CR-0007 90欧 CR-0012 36 240 480 800欧 850红外ED-909IRP-PL ED-912IRP-P 紫光 ED-1`P 150 PD090 ST-0124Z接收三极管 810ED-612IRP 1 。 ）什么是齐纳二极管的发光二极管的应用？答：公共服务电子化/电汇功耗。 2 。 ）为什么需要使用此齐纳在LED ？答：保护蓝/绿/白LED芯片。 3 。 ）而导致需要使用此齐纳在LED ？答：蓝/绿/白。 4 。 ）如何使用本齐纳在LED ？答：反向并联带LED或使用双向连接 5 。 ）怎样衡量反向漏的LED ？答：使用双向齐纳代替。 7 。 ）焊盘金属银和铝，这更好？答：这取决于客户的粘合参数。 8 。 ）可以提供经过全面测试的芯片？答：是的！但成本。 9 。 ）什么是ESD性能？答：根据JEDEC标准。我们齐纳通过8000V/HBM才能生存与8 mil芯片 10 ）为什么顶部表面的一些系列不是平面？答：由于我们使用的铝合金扩散技术它需要保护环，以保持所有参数规格。 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。 稳压二极管是利用稳压管工作在反向击穿区域时，利用其陡峭的反向击穿特性在电路中起稳定电压作用。 稳压管主要用于恒压源、辅助电源和基准电源电路。 欢迎来到通盛(香港)齐纳管电子有限公司大功率LED芯片网站，我公司位于经济发达，交通发达，人口密集的中国经济中心城市—深圳。 在制作大功率LED时，很多时候在芯片抗ESD能力差时都会并联一个齐纳二极管；是否齐纳二极管真能在一定程度上提高芯片的抗ESD能力？ 我在分析了齐纳二极管的原理之后个人认为固晶作业时加固齐纳二极管对于芯片的抗ESD能力无提升。 各位有什么好的意见何观点敬请指正。 观点一： 静电的问题是比较复杂的，静电电压的高低、静电能量的大小，都具有随机性。 理论上讲： 1. 对于遇到较低的静电电压和较小的静电容量，在齐纳管的瞬态极限功率范围内，可以通过齐纳管泻放掉，若静电容量超过齐纳管道瞬态极限功率，齐纳管也就阵亡了，呈现短路状态，此时LED也跟着牺牲了。 2. 在封装上看，齐纳管到电极间的金线比较长，对于静电的突然引入放电，金线会产生电感作用，产生很高的感生电压反向作用于LED芯片，对LED芯片极为不利。应当设法将齐纳的引线尽可能短。 以上分析只所以要明确“理论上讲”，是因为我还没有遇到可明确是静电损坏的状况。即使我们在操作时、烙铁、设备、人员等都没有任何接地防静电措施（我们在深圳）。 我遇到LED一些有漏电的客诉，解剖芯片时，芯片竟然不漏电。也有客户说没有加齐纳管，生产的LED有漏电，加了之后也没有改善，且往往是某一阶段针对某种芯片发生。 有齐纳管，针对静电较多的场合和地区，还是会减少些损失的。对于LED产生漏电，要具体分析。芯片的质量、封装的工艺、材料、环境的洁净度等，都可能导致LED当时、或存放一段时间、或短期通电后发生漏电。其实，对于生产半导体器件，厂房地洁净度、操作员的个人卫生防护等是很重要的。而目前绝大多数LED封装厂都在这方面做得很不够。 观点二首先，加了齐纳管对提高LED灯的抗静电是